Transistors. Page 38 sur 114. Avtronic

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Transistor AOP605

Transistor AOP605 N&P-MOS DUAL 30V 7.5A & 6.6A 2.5W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ALPHA. Rds: 0.028R&0.035R (28 & 35mOhm) (VGS=10V)

Transistor AOP607

N&P-MOS DUAL 60V 4.7A & 3.7A 2.5W

Transistor AP40T03GJ

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 30V 28A. Référence d'origine constructeur: AP40T03GJ-HF-3TB. Marquage boîtier: 40T03GP. Boîtier: TO-251. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 28A. Puissance: 31.25W. Résistance Rds: 25 milliOhms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à 150°C.

Transistor AP40T03GP

Transistor AP40T03GP N-MOS 30V 28A/95Ap. 31W 0.025R (24A). ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Fast Switching. td(on): 6nS. td(off): 16nS. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A.

Transistor AP40T03GS

Transistor AP40T03GS N-MOS 30V 28A/95Ap. 31W 0.025R (24A). ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Fast Switching. td(on): 6nS. td(off): 16nS. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: TO-263. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A

Transistor AP4415GH

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 35V. Courant de drain maxi: 24A. Puissance: 1.2W. Boîtier: TO-252. Résistance passante: 0.036 Ohms.

Transistor AP4501GM

Transistor AP4501GM N&P-MOS DUAL 30V 7A & 5.3A 2W CMS. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.028R & Q2:0.050R (28 & 50mOhm). Constructeur: Advanced Power. Boîtier: *CMS SO-8*

Transistor MOSFET N-P AP4506GEH

Transistor MOSFET N-P 30V 9A. 30V 8A 3.1W. Montage en surface (CMS)

Transistor AP4511GD

Transistor AP4511GD N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor AP4511GM

Transistor AP4511GM N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor AP4525GEH

Transistor AP4525GEH N&P-MOS-Z DUAL 40V 15A & 12A 10W 4p. CMS. *CMS TO-252-4L*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP4525GEM

Transistor AP4525GEM N&P-MOS-Z DUAL 40V 6A & 5A 2W 8p. CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP4800CGM

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 10.4A. Référence d'origine constructeur: AP4800CGM-HF-3. Marquage boîtier: 4800CGM. Boîtier: SO-8. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 10.4A. Puissance: 2.5W. Résistance Rds: 14 milliOhms.

Transistor AP88N30W

Transistor AP9575AGH

Transistor AP9930GM

Transistor AP9930GM 2N&2P-MOS QUAD 30V 5.5A & 4.1A 1.38W CMS. *CMS SO-8*. MOS-2N&2P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.033R&0.055R (33 & 55mOhm)

Transistor AP9962GH

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) CMS 40V 32A 27.8W 0.020R.

Transistor AP9971GD

Transistor AP9971GD N-MOS DUAL 60V 5A/20Ap 2W 8p. DIP. DIP-8. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.050R (50mOhm)

Transistor AP9971GH

Transistor MOSFET canal N CMS 60V 25A/800Ap 39W 0.036R (16A)

Transistor AP9971GI

Transistor AP9971GI N-MOS 60V 23A/80Ap 31.3W 3p. TO220F. TO-220CFM. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.036R (36mOhm)

Transistor AP9971GM

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V 5A. Puissance: 2W. Boîtier: SO-8. Rds: 0.050 Ohm.

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Transistor AP4501GM N&P-MOS DUAL 30V 7A & 5.3A 2W CMS. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.028R & Q2:0.050R (28 & 50mOhm). Constructeur: Advanced Power. Boîtier: CMS SO-8

Transistor AP4511GM N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor AP4525GEH N&P-MOS-Z DUAL 40V 15A & 12A 10W 4p. CMS. CMS TO-252-4L. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP4525GEM N&P-MOS-Z DUAL 40V 6A & 5A 2W 8p. CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP9930GM 2N&2P-MOS QUAD 30V 5.5A & 4.1A 1.38W CMS. CMS SO-8. MOS-2N&2P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.033R&0.055R (33 & 55mOhm)